# 研报数据核查报告
> 生成时间：2026-05-28 22:44:47
> AI辅助核查结果，仍需人工复核

## 核查结果汇总
| 序号 | 陈述内容 | 核查状态 | 来源 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 证券研究报告 
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AI 驱动下的2.5D/3D 先进封装市场格局梳理 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
中信证券研究部 
核心观点 
 
 
 
徐涛 
科技产业联席首席
分析师 
S1010517080003 
 
王子源 
半导体分析师 
S1010521090002 
先进封装技术是AI 底层驱动技术中的一大重要发展方向，并且成为当前重要
的产能瓶颈。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 2 | 除了先进制程的技术节点持续推进之外，CoWoS（2.5D）、
SoIC（3D）、HBM 等各类先进封装所发挥的作用愈发凸显，并且也成为当前重
要的产能瓶颈。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 3 | 台积电在2024年第二季度法说会上表示，尽管2024年CoWoS
产能翻倍，仍然无法完全满足客户的强劲需求，2025 年其CoWoS 产能有望再
度翻倍。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 4 | ▍从当前前道制造厂商（Foundry）2.5/3D 封装技术布局情况来看，三家头部厂
商的龙头集中效应仍然明显。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 5 | 前道厂商除了继续按照摩尔定律往下发展的“深度
摩尔定律”（More Moore）继续推进芯片制程的迭代演进之外，也早已探索 “超
越摩尔定律”（More than Moore）的路线，其中2.5D/3D 先进封装是必由之路。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 6 | 自台积电于2011 年推出CoWoS 2.5D 封装平台以来，其基本上代表了2.5D/3D
先进封装技术的领先水平，Intel 的先进封装技术平台布局与台积电基本对应，
同台竞技，三星紧随其后。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 7 | 第二梯队晶圆厂未公开发布完整的2.5D/3D 解决方
案，但大多在混合键合、3D 堆叠技术方面具备相关经验。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 8 | 联电在W2W 混合键
合方面具备相关技术能力，已推出射频3D 封装解决方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 9 | 中芯国际在CIS 等领
域的混合键合具有丰富经验，在2.5D 和3D 领域进行了较为全面的研发布局。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 10 | 武汉新芯是国内较早布局3D IC 技术的企业，具备混合键合工艺的丰富量产经
验。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 11 | 前道晶圆厂大多在前道相关的混合键合等3D 技术方面着墨较多，与封测厂
更多聚焦2.5D 技术形成差异化。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 12 | ▍封测厂商积极布局跟进2.5D 封装技术，3D 更多处于研发阶段。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 13 | 日月光、安靠
在2.5D 封装领域布局较早，产品组合对标台积电、英特尔等厂商。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 14 | 中国大陆封
测企业持续发力，盛合晶微较早布局硅中介层的2.5D 封装，长电科技、通富微
电在有机RDL 中介层方案上较为领先，同时均布局了硅桥方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 15 | 华天科技则提
供了一种差异化的、具有高度自主创新性的eSinC 技术，同时正在研发基于硅
中介层2.5D 方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 16 | 甬矽电子近期也开展了2.5D 的研发和产业化，公司在2.5D
相关的高密度微凸块和RDL 方面具有扎实的技术积累。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 17 | 总体而言，考虑到技术
积累路径因素，封测厂商在2.5D 领域以有机RDL 方案布局较多，硅中介层方
案需与晶圆厂配合协同，同时封测厂也可以承接前道晶圆厂的oS 和测试订单，
因此前道后道厂商仍然主要表现为分工配合的模式。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 18 | 由于2.5D/3D 方案具有较
高程度定制特征、需要较强的设计方案整合能力，头部客户的牵引促进作用不可
忽视。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 19 | 2.5D/3D
封装的技术方向是不断减小连接点间距、提高连接点密度，以便支持更高带宽。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 20 | 互连工艺从以往的Mass 
Reflow 走到TCB 到走向Hybrid Bonding，一代设备、一代工艺，设备跟随工艺
电子行业 
评级 
强于大市（维持） 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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迭代继续演进。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 21 | （1）先进封装
发展由于需要较高的技术门槛和资本投入，聚焦头部企业。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 22 | （2）设备打入供应链，推荐细
分龙头及国产替代。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 23 | 此外，目前
仍然是海外巨头把持高端2.5D/3D 封装设备市场，国际厂商可关注库力索法半
导体、ASM Pacific、Besi、Camtek 等。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 24 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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3 
  
目录 
先进封装进步推动人工智能革命，市场持续扩张 .............................................................. 6 
先进封装重要性：持续驱动AI 进步，2.5D/3D 封装为关键方案 ....................................... 6 
先进封装稀缺性：2.5D/3D 封装产能已成为AI 芯片产能的重要瓶颈 ................................ 7 
市场空间：2.5D/3D 先进封装市场约92 亿美元，未来空间广阔 ...................................... 8 
2.5D/3D 先进封装的技术路线图：持续缩小I/O 间距和线宽线距 ..................................... 9 
更小间距、更高密度：凸块或键合间距可以作为衡量2.5D/3D 先进封装能力的重要指标 9 
更先进工艺：2.5D/3D 封装所采用的Bump 互联技术持续迭代 ...................................... 11 
设备前道化：2.5D/3D 封装的凸点制造设备呈现前道化趋势 .......................................... 13 
前道制造厂商（Foundry）2.5/3D 封装技术布局情况 .................................................... 14 
台积电：异质集成标杆企业，英伟达、AMD、苹果主力供应商 ..................................... 15 
Intel：业界领先，已大规模应用于自身处理器产品线 ..................................................... 16 
三星：2.5D 及3D 技术对齐台积电与英特尔 ................................................................... 19 
联电：提供2.5D 中介层，布局3D 混合键合 .................................................................. 21 
中芯国际：CIS 等领域混合键合具有丰富经验，并提供2.5D 和3D 方案 ....................... 23 
武汉新芯：国内较早布局3D 技术，主打3DLink 平台 ................................................... 24 
封装厂商2.5D/3D 封装技术布局情况 ............................................................................. 25 
日月光：封测行业2.5D 技术领先厂商 ............................................................................ 25 
安靠：具备业内领先的2.5D 先进封装能力 ..................................................................... 26 
国内厂商：头部厂商积极布局2.5D/3D 封装 ................................................................... 27 
总结及投资策略 ............................................................................................................... 32 
风险因素 ......................................................................................................................... 33 
  
 
 
 
 
 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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4 
  
插图目录 
图1：半导体技术进步驱动AI 革命 ................................................................................... 6 
图2：3D 异质集成延续摩尔定律 ...................................................................................... 7 
图3：2023 年先进封装市场规模与各类型下游需求的复杂对应关系 ................................ 8 
图4：2019-2029 2.5D/3D 先进封装路线图：I/O 间距（Pitch）和RDL 线宽线距（L/S，
Length/Space） .............................................................................................................. 10 
图5：TSMC 各类先进封装及SoIC 平台参数对比 .......................................................... 10 
图6：台积电SoIC 结构图 .............................................................................................. 11 
图7：台积电各先进封装平台Bump Pitch 及密度对应关系 ............................................ 11 
图8：不同凸点间距要求下所采用的Bump 互联技术 ..................................................... 11 
图9：封装互联工艺持续更新，带来引脚密度和准确性的大幅提升 ................................ 12 
图10：封装互联工艺迭代，对应连接点间距缩小、密度提升的技术趋势 ...................... 12 
图11：前段、中段、后段工艺的分类——中段工艺处于晶圆代工厂和封装测试厂的交叉处
 ........................................................................................................................................ 13 
图12：传统封装工艺与先进封装凸块制作工艺对比 ....................................................... 13 
图13：2.5D/3D 高性能封装分类（2023 年） ................................................................ 14 
图14：台积电SoIC：整合前道和后道异质集成技术，带来更大灵活性 ........................ 16 
图15：TSMC 通过先进制程+3D Fabric（3D 异质集成技术），在系统层面扩展晶体管规模
 ........................................................................................................................................ 16 
图16：Intel 先进封装路线图 ........................................................................................... 18 
图17：Intel 在先进制程节点上的路线图 ......................................................................... 18 
图18：Intel 与TSMC 在新型晶体管和背面供电技术的时间表 ....................................... 19 
图19：传统正面供电 与 Intel 的背面供电技术PowerVia 对比 .................................... 19 
图20：三星提出利用SAINT-S 技术打造3D SRAM 堆叠............................................... 21 
图21：三星MBCFET 晶体管及采用背面供电技术 ........................................................ 21 
图22：联电的UMC+OSAT 合作2.5D 解决方案 ........................................................... 22 
图23：联电RFSOI 制程3D IC 方案 .............................................................................. 22 
图24：中芯国际在CIS 领域布局混合键合工艺（WoW） .............................................. 23 
图25：中芯国际在2.5D 和3D 先进封装提供相关解决方案 ........................................... 24 
图26：紫光国芯的异质集成嵌入式DRAM 平台，由武汉新芯进行逻辑芯片及混合键合异
质集成代工 ...................................................................................................................... 24 
图27：日月光VIPack 先进封装平台由六大核心技术组成，并通过整合设计生态系统协同
合作 ................................................................................................................................. 25 
图28：安靠提供的2.5D TSV 产品生产能力................................................................... 27 
图29：通富微电ViSionS 先进封装技术平台 .................................................................. 29 
图30：通富微电的国产Chiplet 产品 .............................................................................. 29 
图31：华天科技三维晶圆级封装平台——3DMatrix ....................................................... 30 
图32：华天科技三维系统集成封装技术平台：eSinC 技术 ............................................ 31 
图33：华天科技eSinC 先进封装技术与其他厂商对比................................................... 31 
图34：甬矽电子具备Bumping 和晶圆级封装能力，借助双面Fan-out 和TSV 可实现
2.5D/3D 晶圆级封装 ........................................................................................................ 32 
 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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5 
表格目录 
表1：台积电先进封装厂区分布情况 ................................................................................. 7 
表2：全球先进封装主要玩家 ............................................................................................ 8 
表3：台积电2.5D/3D 先进封装技术平台分类 ................................................................ 15 
表4：Intel 2.5D/3D 先进封装技术平台分类 .................................................................... 17 
表5：三星2.5D/3D 先进封装技术平台分类 ................................................................... 20 
表6：日月光2.5D/3D 先进封装技术平台分类 ................................................................ 26 
表7：安靠2.5D/3D 先进封装技术平台分类 ................................................................... 27 
表8：国内厂商2.5D/3D 先进封装技术平台分类 ............................................................ 27 
  
 
 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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6 
▍ 先进封装进步推动人工智能革命，市场持续扩张 
先进封装重要性：持续驱动AI 进步，2.5D/3D 封装为关键方案 
半导体技术是AI 进步的底层驱动技术，先进封装则是半导体技术发展的重要增量方
向。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 25 | 以台积电为例，过去几年间经历了
光刻技术进步（EUV），以及目前正在进行的晶体管结构改变（GAA Nanosheet 等），这些
带动先进制程的技术节点持续推进，除此之外，InFO、CoWoS、3D 堆叠DRAM、Chiplets、
3D 堆叠SRAM、SoIC 等先进封装和系统层面技术陆续导入，其发挥的作用愈发凸显。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 26 | 图1：半导体技术进步驱动AI 革命 
 
资料来源：TSMC at IEDM 2023, Dec 12 
先进封装已成为半导体创新、增强功能、性能和成本效益的关键，台积电、英特尔和
三星等大公司正在采用Chiplets 和异构集成的方法，利用先进封装推进行业技术发展。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 27 | 通
过将SoC 芯片分割成多个裸片，并使用2.5D 或3D 封装将它们集成在一起，可以提高芯
片良率、产量并降低成本。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 28 | 3D 异质集成在材料和结构创新之外，提供了进一步提高性能的
解决方案，同时可以带来更高带宽和更优的功耗。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 29 | 在传统的芯片结构创新和材料出行新之
外，3D 集成可以带来晶体管成本的进一步降低，并带来芯片设计更大的灵活性。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 30 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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图2：3D 异质集成延续摩尔定律 
 
资料来源：TSMC at IEDM 2023, Dec 12 
先进封装稀缺性：2.5D/3D 封装产能已成为AI 芯片产能的重要瓶颈 
先进封装成为AI 发展的重要产能瓶颈。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 31 | 台积电在2024 年第一季度业绩说明会上表示，尽管2024
年CoWoS 产能翻倍，仍然无法完全满足客户的强劲需求，因此也与外包封装测试（OSAT）
厂商合作将CoWoS 中的oS 流程外协生产。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 32 | 根据Digitimes，台积电CoWoS 封装的产
能在2023Q1 仅8000 片/月，2024Q1 达1.5 万片/月，到2024 年底将至少达到3.2 万片/
月，到2025 年底将至少增加到4.4 万片/月；SoIC 产能在2023 年月产不到2000 片（主
要客户AMD），2024 年底有望达到6000~6500 片，2025 年有望达1.4~1.45 万片（增量
客户Apple、NVIDIA 等）。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 33 | 表1：台积电先进封装厂区分布情况 
厂区 
地址 
时间 
制程 
先进封测一厂 
新竹市 新竹科学园区 
 
测试及后段封装 
先进封测二厂 
台南市 南部科学园区 
2010 年量产，2020 年扩
建二期 
测试及前段3D Fabric
（接收龙潭InFO） 
先进封测三厂 
桃园市 新竹科学园区
龙潭园区 
 
3D Fabric（扩充
CoWoS） 
先进封测五厂 
台中市 中部科学园区 
 
测试及后段封装（扩建
后段oS） 
先进封测六厂 
苗栗县 新竹科学园区
竹南园区 
2020 年动工， 
2023 年6 月启用 
3D Fabric、SoIC 
铜锣科学园区先进封装
厂（拟建） 
苗栗县 新竹科学园区
铜锣园区 
2024H2 动工，2026 年底
完工，2027Q3 量产 
3D Fabric（SoIC、
InFO、CoWoS） 
嘉义科学园区先进封装
厂（拟建） 
嘉义县 南部科学园区
嘉义园区 
2024 年动工，2026 年完
工，2028 年量产 
 
资料来源：台积电官网，台湾经济日报，台湾工商时报，中信证券研究部 
台积电表示2025 年CoWoS 产能将在2024 年基础上再次翻番。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 34 | 在台积电2024 年第
二季度业绩说明会上，台积电董事长兼总裁魏哲家再次表示，由于AI 需求高企，台积电的
2.5D 封装平台CoWoS 产能仍然是供应非常紧张，2025 年台积电的CoWoS 产能希望在
2024 年基础上再次翻倍。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 35 | 由于台积电更加聚焦CoWoS 中的前段CoW（Chip on Wafer）
工艺，其后段oS（on Substrate）工艺部分外包给封装测试厂商承担，可见前道制造企业
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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与封测企业在先进封装工艺配合上有较大的合作空间。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 36 | 市场空间：2.5D/3D 先进封装市场约92 亿美元，未来空间广阔 
全球先进封装市场空间在2022 年约443 亿美元，其中2.5D/3D 约占20%，到2028
年先进封装市场有望达到780 亿美元。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 37 | 根据Yole，2022 年全球先进封装行业的市场规模
为443 亿美元，Yole 预计到2028 年，该市场规模将超过780 亿美元，2022 年至2028 年
期间的复合年增长率为10.6%。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 38 | 其中市场的主要贡献者是倒装芯片（Flip Chip）、2.5D/3D
和SiP，这三种技术在先进封装总市场占比超过90%；2.5D/3D 封装约占20%，截至2023
年的全球市场规模约为92 亿美元。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 39 | 图3：2023 年先进封装市场规模与各类型下游需求的复杂对应关系 
 
资料来源：Yole 
晶圆代工厂与封测厂（OSAT）均入局先进封装市场，其中晶圆代工厂通常关注密度
最高、工艺最难部分，封测厂关注广泛、先进封装各领域皆有包含。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 40 | 各大晶圆代工厂为了
增加市场竞争力，早已开始布局先进封装，以晶圆代工大厂台积电为例，其在2015 年推
出的InFO 封装技术独揽苹果A10 处理器订单，带动了业界对扇出型堆叠技术的热潮，之
后也陆续推出CoWoS-L、SoIC 等封装技术，三星推出了以3D-TSV 技术为核心的X-Cube
等一系列先进封装技术，Intel 推出混合键合(Hybrid bonding)概念等。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 41 | 封测厂包括日月光、
长电等头部玩家，也都在积极备布局2.5D/3D封装，在晶圆代工厂都能找到相对应的产品。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 42 | 由于2.5D/3D 封装技术中涉及前道工序的延续，晶圆代工厂出于其对前段制程的了解，于
整体布线的架构掌握性更高，因此在密度高的封装上，比传统封测厂优势更大。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 43 | 传统封测企业目前也开始以前道制程的标准建设工厂，积极入
局2.5D/3D 封装市场。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 44 | 表2：全球先进封装主要玩家 
公司 
地区 
定位 
先进封装 
台积电 
中国台湾 
晶圆代工厂(Foundry) 
以2.5D、3D、晶圆级封装为主，对3D IC 技术平台
进行整合成3D Fabric，有全球最顶尖立体结构封测
技术 
三星 
韩国 
IDM 
以2.5D、3D、晶圆级封装为主，设立SAFE 主攻先
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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公司 
地区 
定位 
先进封装 
进封装技术，以3D-TSV 技术为核心开发一系列技术 
英特尔 
美国 
IDM 
以2.5D、3D、晶圆级封装为主，推出混合键合
(Hybrid bonding)概念，围绕异质整合及堆叠开发技术 
日月光 
中国台湾 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，具量产能
力，为封测厂中技术涵盖最全且能力最强的厂商 
安靠 
美国 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，具量产能
力，SiP 封装在消费及汽车电子大放异彩 
长电科技 
中国大陆 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，具量产能
力，SiP 封装及2.5/3D 为其重点发展目标 
力成科技 
中国台湾 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，具量产能
力，以存储器封装为主 
通富微电 
中国大陆 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，以
CPU/GPU/服务器/射频/存储等为主 
华天科技 
中国大陆 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，以SiP、
Fan-Out、Flip-Chip 技术为主 
甬矽电子 
中国大陆 
封测厂(OSAT) 
SiP、FC、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，以
SoC/射频等为主。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 45 | 晶方科技 
中国大陆 
封测厂(OSAT) 
SiP、2.5D/3D、晶圆级封装等均有涵盖，以TSV 技
术为基础的CIS 封装为主 
资料来源：各公司公告，中信证券研究部 
▍ 2.5D/3D 先进封装的技术路线图：持续缩小I/O 间距
和线宽线距 
更小间距、更高密度：凸块或键合间距可以作为衡量2.5D/3D 先进封装能
力的重要指标 
2.5D/3D 先进封装路线图方向是不断缩小I/O 间距和RDL 线宽线距。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 46 | 目前2.5D 封装的凸块间距（Bump Pitch）业界领先水平
可以达到40μm 到50μm（台积电CoWoS）。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 47 | 未来混合键合 (HB，Hybrid Bonding) 是
另一个重要趋势，它能够以小于10 µm 的键合间距（Bond Pitch）实现金属-金属和氧化物
-氧化物面对面堆叠，目前主要用于晶圆到晶圆（W2W）的3D 堆叠，用于 CIS 和 3D NAND 
堆叠等应用，并且正在为 PC、HPC 的算力芯片3D SoC 堆叠以及HBM 堆叠等进行持续
开发。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 48 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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10 
图4：2019-2029 2.5D/3D 先进封装路线图：I/O 间距（Pitch）和RDL 线宽线距（L/S，Length/Space） 
 
资料来源：Yole 
技术指标来看，凸块或键合间距（Bump/Bond pitch）可以作为评价2.5D/3D 先进封
装一个重要技术指标，以台积电为例，凸块或键合间距随着技术平台的进步而持续缩小，
连接密度对应提升。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 49 | 早期BGA 封装的凸点间距在1000 微米左右。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 50 | 传统MCM 封装（例如
AMD Ryzen 和EPYC 系列使用的多芯片模组）采用Mass Reflow 工艺，凸块间距（Bump 
Pitch）大约在130 微米。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 51 | CoWoS 封装（例如NVIDIA H100 等采用）和InFO（例如苹果
A 系列手机主芯片采用）的凸块间距（Bump Pitch）缩小到40 微米左右，TSMC 的SoIC
平台的键合间距（Bond Pitch）可以达到10 微米以下（采用Hybrid bonding 混合键合）。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 52 | 图5：TSMC 各类先进封装及SoIC 平台参数对比 
 
资料来源：TSMC 
随着间距（Pitch）缩小，相应Bump 密度以数量级提升。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 53 | 从Flip Chip MCM（倒装
多芯片模组）到CoWoS（台积电2.5D 封装），Bump 密度（I/O 密度）有一个数量级的提
升，基本可以达到每平方毫米600~900 个Bump 连接点的水平。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 54 | 从CoWoS 到SoIC（台
积电3D 封装），Bump 密度进一步出现一个数量级（超过10 倍）的提升，台积电SoIC 可
以达到每平方毫米下约1 万个Bump 连接（I/O Count）的水平。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 55 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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11 
图6：台积电SoIC 结构图 
 
资料来源：TSMC 
 
图7：台积电各先进封装平台Bump Pitch 及密度对应关系 
 
资料来源：TSMC 
更先进工艺：2.5D/3D 封装所采用的Bump 互联技术持续迭代 
根据凸点或键合间距不同，采用不同Bump 互联技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 56 | 根据长电科技，当凸点间距
（Bump Pitch）在50 微米以上时，通常采用Mass Reflow 回流焊工艺，而在45 微米~20
微米区间需要采用TCB（热压键合）或LAB（激光辅助键合），而在20 微米以下则需要采
用Hybrid Bonding（混合键合）技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 57 | 截至2022 年，长电科技在混合键合方面已有较多
研究。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 58 | 图8：不同凸点间距要求下所采用的Bump 互联技术 
 
资料来源：长电科技，中国半导体封装测试技术与市场年会（2022 年），转引自半导体产业纵横微信公众号 
历史来看，封装互联技术路线随着引脚密度和准确性的需求提升，经历了不同发展阶
段。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 59 | 从1975 年推出的传统的打线封装（Wire Bond），到1995 年推出的倒装（Flip Chip）
技术，连接引脚密度大约提升了5~40 倍。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 60 | 近10 年来，热压键合（TCB Bonding）、高密
度扇出（HD Fan Out）、混合键合（Hybrid Bonding）技术陆续推出，使得引脚密度进一步
大幅跃升。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 61 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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12 
图9：封装互联工艺持续更新，带来引脚密度和准确性的大幅提升 
 
资料来源：Besi，Semianalysis 
Bump 互联工艺的迭代演进推动互联间距的持续缩进。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 62 | 大规模回流焊（Mass Reflow）
大致可以实现140~40μm 的互连密度。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 63 | 采用激光辅助键合（LAB）可以将互联间距进一步
达到20μm 左右；采用热压键合（TCB）工艺，间距最小可以达到10μm 左右；而混合
键合（Hybrid Bonding）可以达到10μm 以下。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 64 | 图10：封装互联工艺迭代，对应连接点间距缩小、密度提升的技术趋势 
 
资料来源：Besi 
从Bump 互联设备来看，传统龙头是欧洲厂商，国内厂商积极跟进。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 65 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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设备前道化：2.5D/3D 封装的凸点制造设备呈现前道化趋势 
在先进封装制作凸点的中道工艺方面，相关设备越来越贴近前道化。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 66 | 图11：前段、中段、后段工艺的分类——中段工艺处于晶圆代工厂和封装测试厂的交叉处 
 
资料来源：Yole 
从设备种类来看，先进封装的扇出和凸块工艺设备厂商部分与前道设备厂商重合。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 67 | 图12：传统封装工艺与先进封装凸块制作工艺对比 
 
资料来源：IC 咖啡，中信证券研究部 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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14 
▍ 前道制造厂商（Foundry）2.5/3D 封装技术布局情况 
各主流晶圆厂和封测厂商均推出了不同名称的2.5D/3D 封装技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 68 | 各家封测企业的
2.5D 封装工艺没有统一标准，大多是从定制化的工艺发展而来，命名也各不相同，但都以
有中介层（Interposer）的工艺为主流。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 69 | 2.5D 封装需要将不同芯片连接到中介层上，以实
现芯片间的互联，中介层的材料可分为硅中介层、有机中介层、硅桥等类别。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 70 | 3D 封装则不
一定需要使用中介层，但通常需要TSV 工艺，按照应用场景，又可以大致划分3D 存储与
3D SoC 两大类别。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 71 | 图13：2.5D/3D 高性能封装分类（2023 年） 
高性能先进封装
2.5D
3D
超高密度扇出 
UHD FO
模制中介层
Mold Interposer
嵌入式硅桥
Embedded Si Bridge
硅中介层
Si Interposer
3D 存储
3D SoC
模制芯粒
(Molded die)
+
薄膜RDL
+
IC载板
模制化合物
(Mold compound)
+
薄膜RDL
+
IC载板
嵌入至模制化
合物
(Embedded in 
mold 
compound)
嵌入至IC载板
(Embedded in 
IC Substrate)
中介层芯片
(Interposer die)
+
TSV硅通孔+微凸块
（microbumps）+倒装凸块
（FC bumps）
+
IC载板
微凸块
(Microbumps)&
硅通孔(TSV)/
混合键合
晶圆对晶圆
（W2W）混合
键合
芯片对晶圆
（D2W）或晶
圆对晶圆
（W2W）混合
键合
台积电：
 SoIC（3D 
Fabric）
英特尔：
 Foveros 
Direct
三星：
 X-Cube
长江存储
 X-Stacking
3D NAND 堆叠
3DS
HBM
三星、海力
士、美光
被动中介层
主动中介层
台积电：
 CoWoS-S
三星：
 H-Cube
 I-CubeS
UMC
英特尔：
 Foveros
Co-EMIB
EMIB
英特尔：
 EMIB 
(Sapphire 
Rapids)
英特尔：
 Co-EMIB 
(Ponte Vecchio)
硅桥
台积电：
 InFO-LSI
 CoWoS-L
三星：I-CubeE
日月光：FoCoS-Bridge
矽品：FOEB
长电：XDFOI-EB
安靠：S-Connect
台积电：
 InFO_(X)
 CoWoS-R
日月光：
 FoCoS
矽品：
 FO-MCM
长电：
 XDFOI
安靠：
 SWIFT
 
资料来源：Yole，中信证券研究部 
从前道晶圆制造企业视角来看，2.5D/3D 先进封装是“超越摩尔定律”路线的必由之
路，已有较早布局。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 72 | 行业内有两条路径：一是继
续按照摩尔定律往下发展的深度摩尔定律（More Moore），继续推进芯片制程的迭代演进；
二是超越摩尔定律（More than Moore）的路线，从一味追求功耗下降、性能提升，转为更
加务实满足市场需求，2.5D 和3D 封装则是超越摩尔定律的一种工艺方式。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 73 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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15 
台积电：异质集成标杆企业，英伟达、AMD、苹果主力供应商 
台积电的3D Fabric 平台包含两类，芯片堆叠（3D）和先进封装（2.5D）。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 74 | 其中，2.5D
先进封装来看，2.5D CoWoS （Chip on Wafer on Substrate）平台可以实现先进逻辑和
高带宽存储器（HBM）的整合，适用于人工智能、数据中心等HPC 应用；InFO（整合式
扇出型封装，intergrated fanout）中的InFO-PoP 支持移动应用，InFO-LSI 则支持HPC 小
芯片整合。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 75 | 表3：台积电2.5D/3D 先进封装技术平台分类 
 
类型 
技术平台 
特点 
典型产品 
图示 
2.5D 
硅中介层 
（Si interposer） 
CoWoS-S 
采用硅中介层，基于现有硅片光刻
和再分布层的加工。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 76 | 2011 年推出，
2012 年量产，迄今为止为已向超
过25 家客户提供了>140 种产品。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 77 | 英伟达
A100 、
H100 等 
 
有机中介层 
（RDL）/ 
超高密度扇出 
（UHD FO） 
CoWoS-R 
使用有机转接板以降低成本，可以
达到4 倍最大光罩尺寸，同时正在
开发具有高达 6 个光罩尺寸（约 
5,000 平方毫米）重布线层（RDL）
中介层的 CoWoS 解决方案，能
够容纳 12 个高带宽存储器堆叠。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 78 | 自
2016
年推出以来，台积电
InFO_PoP 出货量超过12 亿台。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 79 | Apple A17 Pro 
 
InFO_oS 
主要用于HPC 客户，可在基板上
封装多个芯片，InFO_oS 投产已达
5 年以上 
 
InFO_M 
是InFO_oS 的替代方案，实现多
芯片封装但无需额外的基板，于
2022 年下半年投产，适用于对外
型尺寸敏感度较高的应用。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 80 | 嵌入式硅桥 
（Embedded Si 
Bridge） 
CoWoS-L 
使用插入有机转接板中的小硅桥，
用于相邻芯片边缘之间的高密度
互连（0.4um/0.4um L/S 间距）。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 81 | 英伟达B200 
 
InFO-LSI 
通过一个本地硅互连（LSI）嵌入到
重分布层RDL 中，将两片芯片连
接。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 82 | Apple M1 Ultra 
 
3D 
微凸块 
（Microbump） 
SoIC-P 
2019 年推出，2021 年量产，采用 
18-25 微米间距微凸块堆叠技术，
主要针对如移动、物联网等成本较
为敏感的应用。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 83 | 其芯片对晶圆堆叠方
案具有4.5 至9 微米的键合间距，
已在台积N7 工艺技术中量产，用
于HPC 应用。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 84 | AMD Instinct MI 
300X 采用了台积
电SoIC-X 技术将
N5 GPU和CPU堆
叠于底层芯片，并
整合在CoWoS 封
装中。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 85 | 资料来源：台积电官网，中信证券研究部 
台积电的前道的3D 芯片堆叠技术可以与2.5D 技术进一步整合：按照工艺流程可以
分为WoW（wafer-on-wafer，晶圆对晶圆）和CoW（chip-on-wafer，芯片对晶圆）两类。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 86 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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16 
按照是否具有凸块工艺，包含SoIC-P（含有Bump 凸块）和SoIC-X（不含Bump 凸块）
两大类。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 87 | 图14：台积电SoIC：整合前道和后道异质集成技术，带来更大灵活性 
 
资料来源：TSMC 
台积电拟借助3D 异质集成技术，目标到2030 年打造1 万亿晶体管GPU 芯片。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 88 | 目前
业界领先的AI 芯片 NVIDIA B200 GPU 采用TSMC N4 制程工艺打造，由两个Blackwell 
GPU Die 封装在一起，总共包含2080 亿个晶体管，其应用了2.5D CoWoS 先进封装技
术，这代表了目前大批量量产AI 芯片的晶体管数量领先水平。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 89 | 台积电在2023 年IEDM 会
议上提出，到2030 年左右，应用3D 异质集成技术，可进一步提升晶体管规模至1 万亿
个晶体管以上。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 90 | 图15：TSMC 通过先进制程+3D Fabric（3D 异质集成技术），在系统层面扩展晶体管规模 
 
资料来源：TSMC at IEDM 2023, Dec 12 
Intel：业界领先，已大规模应用于自身处理器产品线 
Intel 的先进封装技术平台布局与台积电基本对应，同样代表了行业先进封装领先水
平。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 91 | 以Intel 先进
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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封装技术路线图为例，可以从功率效率、互连密度、可扩展性三个维度分类。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 92 | 表4：Intel 2.5D/3D 先进封装技术平台分类 
 
类型 
技术平台 
特点 
典型产品 
图示 
2.5D 
嵌入式硅桥 
（Embedded Si 
Bridge） 
EMIB 
嵌入式多芯片互联桥，2017 年发布，
2.5D 技术，使用埋藏在封装基板内、
用来连接裸晶的硅桥(Silicon 
Bridge) ，类似台积电CoWoS-L。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 93 | 凸
点间距大约55 微米左右 
Sapphire 
Rapids
，
Granite 
Rapids 
 
硅中介层+嵌入
式硅桥 
Co-EMIB 
使用 EMIB 和 Foveros 的组合来
融合 2.5D 和 3D 的技术，通过 
Co-EMIB 可以将 40 多个芯片放入
一个封装中。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 94 | Ponte 
Vecchio 
 
3D 
热压键合（TCB）
+微凸块 
（Microbump） 
Foveros 
2018 年推出，3D 技术，进行横向和
纵向的互联，类似台积电的SoIC-P。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 95 | 主要采用TCB（热压键合）技术连接，
凸点间距降低到50-25 微米，每平方
毫米有大约 400 个凸点。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 96 | Meteor 
Lake 
 
ODI 
ODI(Omni-Directional Interconnect) 
全方位互连技术：2019 年推出，在
Foveros 基础上添加了金属支柱，允
许最右侧的顶部芯片直接连接到封
装。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 97 | 混合键合 
(Hybrid 
Bonding) 
Foveros 
Direct 
通过Hybrid bonding 混合键合技术，
达到10 微米以下的凸点间距，从而
达到每平方毫米1 万个凸点的互连
密度，类似于台积电SoIC-X 
 
 
资料来源：Intel，中信证券研究部 
Intel 的互连工艺从TCB 工艺走向未来的混合键合技术，进一步微缩凸点间距。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 98 | 3D 平
台方面，Foveros 目前主要采用TCB（热压键合）技术连接，凸点间距约50 微米，互连
密度约每平方毫米下400 个凸点。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 99 | 而通过Hybrid bonding 混合键合技术，Intel 计划达到
10 微米以下的凸点间距，从而达到每平方毫米1 万个凸点的互连密度。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 100 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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18 
图16：Intel 先进封装路线图 
 
资料来源：Intel 
在前道制程工艺方面，近年来英特尔一改往日保守风格。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 101 | 2021 年，Intel 提出四年五
节点的制程开发计划，希望借此重回领导地位。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 102 | Intel 押注 RibbonFET（对于GAA 的改进）
+PowerVia（背面供电）技术，在2024 年Intel 20A 和18A 节点上率先采用类GAA 晶体
管和背面供电两类新技术，时间线来看较台积电更为激进。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 103 | 图17：Intel 在先进制程节点上的路线图 
 
资料来源：Intel at IEDM 2023 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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19 
图18：Intel 与TSMC 在新型晶体管和背面供电技术的时间表 
 
资料来源：fabricatedknowledge 
背面供电 (BSPDN)技术（Intel 称PowerVia）的导入将会增加对混合键合（Hybrid 
bonding）工艺的需求。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 104 | 图19：传统正面供电 与 Intel 的背面供电技术PowerVia 对比 
 
资料来源：Intel Innovation 2023 
三星：2.5D 及3D 技术对齐台积电与英特尔 
三星在2.5D 和3D 封装技术方面，布局对标台积电、英特尔。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 105 | 其中I-Cube 为2.5D 技
术，对标CoWoS，包含三种类型：采用硅中介层的I-Cube S、采用RDL+硅嵌入结构的
I-Cube E、以及面向大尺寸封装的H-Cube。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 106 | X-Cube 为3D 技术，对标SoIC、Foveros，
包含微凸块和铜混合键合两种路线。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 107 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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20 
表5：三星2.5D/3D 先进封装技术平台分类 
 
类型 
技术平台 
特点 
图示 
2.5D 
硅中介层 
（Si interposer） 
I-Cube S 
2018 年推出，采用硅
中介层，对标台积电
CoWoS-S 
 
H-Cube 
在I-Cube S 的基础
上，采用了ABF 基板
和HDI 基板作为底
层基板，可以实现更
大尺寸的封装，满足
AI 和数据中心等应
用领域的需求 
 
嵌入式硅桥 
（Embedded Si Bridge） 
I-Cube E 
采用RDL+硅嵌入结
构，对标台积电
CoWoS-L 和英特尔
EMIB 
 
3D 
热压键合（TCB）+微凸块 
（Microbump） 
X-Cube TCB（Micro 
bump） 
2020 年推出，X-
Cube TCB （Micro 
bump ）微凸块，
Microbump<30
微
米，对标台积电
SoIC-P 和英特尔
Foveros 
混合键合 
（Hybrid Bonding） 
X-Cube 
HCB
（Bumpless） 
X-Cube 
HCB
（Bumpless）采用铜
混合键合则对标台
积电SoIC-X 和英特
尔Foveros Direct，
正在开发pitch 小于
4 微米的规格 
资料来源：三星，中信证券研究部 
三星拟推出新的3D 先进封装品牌“SAINT”。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 108 | 根据The Korea Economic Daily 报道，
三星计划2024 年推出命名为“SAINT”
（Samsung Advanced Interconnection Technology，
三星先进互连技术）品牌的3D 先进封装技术，以更小的尺寸集成高性能芯片（包括人工
智能芯片）所需的内存和处理器。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 109 | Samsung Foundry 在2022 年10 月三星SAFE 论坛上
曾介绍其正着手打造整体设计解决方案，已经开发出了SAINT-S 和SRAM 堆叠芯片，正
在开发逻辑堆叠芯片SAINT-L，计划开发DRAM 堆叠的SAINT-D 解决方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 110 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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21 
图20：三星提出利用SAINT-S 技术打造3D SRAM 堆叠 
 
资料来源：三星官网 
三星在前道工艺方面，推出MBCFET（多桥通道场效应晶体管，GAA 晶体管的一种
形式），进入3nm 水平。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 111 | 三星在2022 年宣布开始量产3nm 工艺，采用GAA MBCFET 技
术，是率先宣布量产3nm 的晶圆代工企业，但其前期良率较低，前期客户包括矿机、AI 等
领域客户。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 112 | 三星第二代3nm 则计划于2024 年下半年投产。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 113 | 三星计划在2027 年将BSPDN
背面供电技术用于1.4nm 工艺，未来料将增加对于混合键合等3D 工艺的需求。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 114 | 图21：三星MBCFET 晶体管及采用背面供电技术 
 
资料来源：Samsung at IEDM 2023 
联电：提供2.5D 中介层，布局3D 混合键合  
联电提供2.5D 所需硅中介层，与封测厂商配合提供解决方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 115 | 根据中国
台湾工商时报，截至2023 年10 月，联电具有至少3000 片/月的硅中介层产能。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 116 | 此部分硅
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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22 
中介层与安靠、日月光等厂商的2.5D 后段工序相配合，可实现与台积电CoWoS 平台同
等水平的效果。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 117 | 图22：联电的UMC+OSAT 合作2.5D 解决方案 
 
资料来源：联电官网 
联电在混合键合方面具备相关技术能力。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 118 | 联电于2023 年2 月宣布其混合键合解决方
案已经准备就绪，可以支持边缘AI、影像处理和无线通讯等终端应用，并与Cadence 共
同开发3D IC 混合键合的参考流程。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 119 | 联电已推出射频3D 封装解决方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 120 | 联电于2024 年5 月2 日推出业界收款RFSOI 3D 
IC 方案，可以将芯片尺寸缩小45%以上。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 121 | RFSOI 主要用于低噪声放大器、射频开关、天线调谐器等射频芯片，3D 方
案有助于在5G 手机中整合更多射频器件。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 122 | 图23：联电RFSOI 制程3D IC 方案 
 
资料来源：联电官网 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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23 
中芯国际：CIS 等领域混合键合具有丰富经验，并提供2.5D 和3D 方案 
中芯国际在3D 堆叠具有丰富量产经验。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 123 | 根据公司官网新闻，公司于2013 年就成立
了视觉、传感器和3DIC 中心（简称CVS3D），整合、强化CMOS 图像传感器、MEMS 传
感器、硅通孔（TSV）技术和其他中端晶圆制程技术（MEWP）上的研发和生产制造能力。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 124 | 图24：中芯国际在CIS 领域布局混合键合工艺（WoW） 
 
资料来源：中芯国际，中关村IC 产业论坛（2021 年） 
中芯国际在2.5D 和3D 领域进行了较为全面的研发布局。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 125 | 中芯国际资深副总裁张昕
先生2021 年在IC WORLD 大会上提及其6 大平台时指出：“公司先进封装平台将在2.5D
领域提供全覆盖Interposer 方案，3D IC 提供HBM/近存计算解决方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 126 | ”中芯国际在CIS
的WoW 堆叠、显示驱动WoW 堆叠、物联网超低功耗+射频+特殊存储的2.5D 集成、逻
辑+电源管理的3D 堆叠等方面均有相应研发或技术布局。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 127 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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24 
图25：中芯国际在2.5D 和3D 先进封装提供相关解决方案 
 
资料来源：中芯国际，中关村IC 产业论坛（2021 年） 
武汉新芯：国内较早布局3D 技术，主打3DLink 平台 
武汉新芯是国内较早布局3D IC 技术的企业，具备混合键合工艺的丰富量产经验。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 128 | 根
据武汉新芯官网，武汉新芯从2012 年开始布局3D IC 技术，具备Cu-Cu 混合键合技术能
力，截至2020 年键合良率已高达99.5%。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 129 | 武汉新芯于2020 年宣布推出三维堆叠技术品
牌——3DLink™，包括两片晶圆堆叠技术、多片晶圆堆叠技术，以及芯片-晶圆异质集成技
术等，在存算一体、3D 传感ToF 等领域广泛运用。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 130 | 武汉新芯客户西安紫光国芯在IEDM 
2020 发表 异质集成嵌入式 LPDDR4 DRAM（SeDRAM）论文，推出世界首款3D LPDDR4
内存产品方案，就采用了武汉新芯逻辑代工及异质集成工艺完成。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 131 | 图26：紫光国芯的异质集成嵌入式DRAM 平台，由武汉新芯进行逻辑芯片及混合键合异质集成代工 
 
资料来源：西安紫光国芯官网 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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25 
▍ 封装厂商2.5D/3D 封装技术布局情况 
除前道厂商外，封装厂商在2.5D/3D 封装技术领域也早有布局。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 132 | 与前道厂商相比，封
装厂商在2.5D 封装技术上着力更多，目前已量产的成熟技术平台大多是2.5D 封装技术，
同时也在积极推进3D 封装的研发。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 133 | 日月光：封测行业2.5D 技术领先厂商 
日月光为2.5D 封装技术先驱。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 134 | 日月光为全球最大封测厂，技术最领先及产品面最广，
为2.5D/3D 封装技术先驱之一，研发时间超过十多年，推出了世界上第一个配备高带宽存
储器（HBM）的2.5D IC 封装的批量生产。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 135 | 日月光2015 年就开始量产2.5D 封装，超威、
英伟达等均为第一批客户，是封装厂中技术领先厂商。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 136 | 图27：日月光VIPack 先进封装平台由六大核心技术组成，并通过整合设计生态系统协同合作 
 
资料来源：日月光官网 
2.5D 技术对标台积电、英特尔等前道厂商。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 137 | 日月光推出了VIPack 先进封装平台，提
供2.5D 整合封装方案，其中包含FOPoP、FOCoS、FOCoS-Bridge、FOSiP 等技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 138 | 目
前公司2.5D 封装实现方式为TSV 中介层连接、以及用扇出型晶圆级封装的重布线连接，
2.5D 技术FOCoS 采用RDL 中介层，基本上与台积电CoWoS-R、英特尔EMIB 类似。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 139 | 日月光旗下的矽品
也推出了FOEB 等2.5D 封装技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 140 | 在3D 技术方面，日月光已经布局开发混合键合（Hybrid 
bonding）工艺，具备3D 整合能力。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 141 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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26 
表6：日月光2.5D/3D 先进封装技术平台分类 
 
类型 
技术平台 
特点 
图示 
2.5D 
有机中介层 
（RDL）/ 
超高密度扇出 
（UHD FO） 
FOCoS-CF(Chip 
First) 
将芯片通过 Cu 通孔直接与 RDL 
连接，芯片和扇出RDL（L/S 2/2 
微米）之间没有微凸块。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 142 | FOCoS-CL(Chip 
Last) 
将芯片通过 RDL（L/S 2/2 微米）
和 Cu 微凸块连接。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 143 | 至少可以支持1 个 
ASIC 芯片和 2 个 HBM 合封 
 
FOPoP 
将两片芯片通过RDL 层和铜柱上
下堆叠封装，类似台积电InFO-
PoP 
 
嵌入式硅桥 
（Embedded 
Si 
Bridge） 
FOCoS-Bridge 
由硅桥（L/S 0.6/0.6 微米）嵌入在
扇出 RDL 层（L/S 10/10 微米）
中，用于建立芯片之间的连接。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 144 | FO-EB（Embedded 
Bridge） 
日月光旗下矽品的FO-EB 技术，
通过硅桥与重分布层（RDL）实现
连接 
 
硅中介层 
（Si interposer） 
 
与晶圆厂协同推出 
 
3D 
混合键合 
（Hybrid Bonding） 
 
已有相关研发布局 
 
资料来源：日月光、矽品官网，中信证券研究部 
安靠：具备业内领先的2.5D 先进封装能力 
安靠在2.5D 封装技术领域布局多年。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 145 | 安靠（Amkor）除了与三星共同开发了H-Cube
先进封装解决方案以外，也早已布局“类CoWoS 技术”，其通过中间层与TSV 技术连接
不同芯片，同样具备2.5D 先进封装能力。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 146 | 自 2016 年以来，Amkor 一直在进行基板上芯
片 (CoS) 的大批量生产，并且自 2019 年以来，也在大批量生产晶圆上芯片 (CoW)。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 147 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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27 
表7：安靠2.5D/3D 先进封装技术平台分类 
 
类型 
技术平台 
特点 
图示 
2.5D 
有机中介层 
（RDL）/ 
超高密度扇出 
（UHD FO） 
SWIFT/HDFO 
通过中介层讲多芯片连接，铜柱
晶片互连缩小至 30 微米间距，
线宽线距2/2μm，类似台积电
CoWoS-R 
 
嵌入式硅桥 
（Embedded Si 
Bridge） 
S-Connect 
S-Connect 是HDFO和硅桥的组
合产品。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 148 | 类似台积电CoWoS-L 
 
硅中介层 
（Si interposer） 
 
与晶圆厂协同推出 
 
3D 
混合键合 
（Hybrid Bonding） 
 
已布局铜混合键合3D 堆叠相关
研发 
 
资料来源：安靠官网，Trendforce，中信证券研究部 
安靠的2.5D 技术已经用于高性能计算和人工智能应用，并持续扩充产能。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 149 | 根据公司
官网，安靠最新的技术可以支持1 颗ASIC+6 颗HBM、2 颗ASIC+8 颗HBM 的组合，相
关产品已进入大规模量产或产品验证阶段。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 150 | 安靠正在将其2.5D TSV 生产能力提高两倍，
公司预计此次产能扩容计划于2024 年第四季度完成。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 151 | 图28：安靠提供的2.5D TSV 产品生产能力 
 
资料来源：安靠官网（截至2024.5） 
国内厂商：头部厂商积极布局2.5D/3D 封装 
国内厂商在2.5D/3D 封装领域已有积极布局。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 152 | 国内具备2.5D/3D 封装能力的厂商包
括但不限于华天科技、盛合晶微、长电科技、通富微电、甬矽电子等。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 153 | 其中2.5D 大多具备
有机中介层方案（类似CoWoS-R 方案），部分厂商开发了硅中介层（类似CoWoS-S）和
嵌入式硅桥（CoWoS-L）方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 154 | 表8：国内厂商2.5D/3D 先进封装技术平台分类 
 
 
类型 
技术平台 
特点 
盛合晶微 
2.5D 
硅中介层 
（Si interposer） 
DOIOS 
支持最大合封芯片数6 个，类似台积电CoWoS-S、三星I-Cube 
S 和H-Cube 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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28 
 
 
类型 
技术平台 
特点 
有机中介层 
（RDL）/ 
超高密度扇出 
（UHD FO） 
Smartposer_OS 
最小RDL 线宽/线距 2/2μm，最大RDL 堆叠层数4P4M；类
似台积电 InFO_oS(L/S 2/2μm，6P6M)、日月光FOCoS（L/S 
1.5/1.5μm，5P5M）、安靠SWIFT（L/S 2/2μm，4P4M）、
长电科技XDFOI_CL 
嵌入式硅桥 
（Embedded Si Bridge） 
Smartposer_BD 
硅桥互联的技术平台，类似台积电CoWoS-L 
3D 
 
DOIOS_A 
3D 堆叠技术平台 
长电科技 
2.5D 
硅中介层 
（Si interposer） 
XDFOI-T（TSV） 
方案开发完成，类似台积电CoWoS-S 
有机中介层 
（RDL）/ 
超高密度扇出 
（UHD FO） 
XDFOI-O（Organic 
RDL） 
已量产，类似台积电CoWoS-R 
嵌入式硅桥 
（Embedded Si Bridge） 
XDFOI-B （Bridge 
Die） 
方案开发完成，类似台积电CoWoS-L 
3D 
 
 
已有相关布局 
通富微电 
2.5D 
有机中介层 
（RDL）/ 
超高密度扇出 
（UHD FO） 
VISionS 
基于Chip Last 工艺的Fan-out 技术可以实现5 层RDL 超大尺
寸封装（65×65mm），于2023 年验证通过。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 155 | 可以支持1Logic+6HBM、2*（1Logic+4HBM）等结构。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 156 | 硅中介层 
（Si interposer） 
已有布局 
嵌入式硅桥 
（Embedded Si Bridge） 
已有布局 
3D 
微凸块 
（Microbump）+TSV 
 
已布局3D 堆叠存储、HBM，可以支持HBM2 8Hi，最多可达
12 层。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 157 | 华天科技 
2D 
有机中介层 
（RDL）+硅基板 
eSiFO 
与传统的molding Fan-out 采用EMC 塑封料不同，其使用硅基
板为载体，是在芯片表面和硅圆片表面构成了一个扇出面，在
这个面上进行多层布线，eSiFO 具有可控的翘曲度、高平整度
的线路密度、可靠性的认证、制程简洁的工艺、良好的散热、
轻薄的封装成品等优点。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 158 | 2.5D 
硅中介层 
 
已有研发布局 
3D 
微凸块 
（Microbump）+TSV 
eSinC 
SinC 可实现的封装尺寸最大可以达到40mm×40mm, 倒装芯
片bump/pitch 尺寸最小可以做到40μm/70μm，互联TSV 深
宽比可以做到5:1，可提供至少8 芯片的3D 堆叠封装。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 159 | 通富微电：紧跟国际及国内大客户步伐，2.5D/3D 均有技术布局 
通富微电在Chiplet、2.5D、3D 堆叠等先进封装方面均有布局和储备。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 160 | 通富微电针对
2.5D/3D 封装推出了VISionS 先进封装技术平台。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 161 | 根据公司年报，截至2022 年底公司自
建2.5D/3D 产线全线通线，1+4 产品及4 层/8 层堆叠产品研发稳步推进；公司研发了基于
Chip Last 工艺的Fan-out 技术，实现5 层RDL 超大尺寸封装（65×65mm），截至2023
年底，大尺寸多芯片chip last 封装技术已验证通过；公司还研发了超大多芯片FCBGA 
MCM 技术，实现最高13 颗芯片集成及100×100mm 以上超大封装。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 162 | 2024
年2 月，通富微电子有限公司举行三期项目启用暨2.5D/3D 首台设备入驻仪式。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 163 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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29 
图29：通富微电ViSionS 先进封装技术平台 
 
资料来源：未来半导体 
通富微电在HBM 领域研发布局，有望实现与头部客户深度合作。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 164 | 根据公司公告，2022
年公司完成用于高端服务器的三维堆叠存储器技术开发，实现多层堆叠的内存全流程存储
功能测试。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 165 | 2023 年，公司公告HBM 相关技术处于成长阶段，公司将积极开展相关研发布
局、量产准备等前期工作。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 166 | 图30：通富微电的国产Chiplet 产品 
 
资料来源：艾邦半导体网微信公众号 
华天科技：积极自主创新布局3D 晶圆级封装技术 
华天科技的三维晶圆级封装平台为3D Matrix，由TSV、eSiFo（Fan-out）、3D SIP
三大封装技术构成。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 167 | 其中华天科技的TSV 技术已量产十年有余，主要应用于图像传感器的
封装，针对不同的传感器结构，如前照式结构FSI、背照式BSI、Stacked BSI、Triple Stack 
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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30 
BSI 都有不同的解决方案。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 168 | 图31：华天科技三维晶圆级封装平台——3DMatrix 
 
资料来源：华天科技，2022 年中国半导体封装测试技术与市场年会，转引自未来半导体 
在扇出封装技术方面，华天科技的eSiFO（embedded Silicon Fan-out）硅基扇出
封装具有完全自主知识产权。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 169 | 在三维系统集成封装（3D SiP）方面，华天科技基于eSiFO 结合TSV 技术开发了
eSinC 技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 170 | eSinC 可以将不同功能、不同种
类和不同尺寸的器件实现3D 方向高密度集成。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 171 | eSinC 可实现的封装尺寸最大可以达到
40mm×40mm, 倒装芯片bump/pitch 尺寸最小可以做到40μm/70μm，互联TSV 深宽
比可以做到5:1，目前给客户出样的3D 堆叠封装共集成8 颗芯片，整体封装厚度小于1mm。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 172 | 该技术的目标应用主要是Al、IoT、5G 和处理器等众多领域。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 173 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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31 
图32：华天科技三维系统集成封装技术平台：eSinC 技术 
 
资料来源：华天科技，2022 年中国半导体封装测试技术与市场年会，转引自未来半导体 
eSinC 技术可对标台积电的InFo-PoP 技术，eSiFO 技术可对标台积电的InFO 以及
日月光、长电科技等厂商的eWLB 晶圆级封装技术。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 174 | 根据公司2023
年年报，公司正在研发基于Silicon Interposer（硅中介层）的2.5D 封装技术，有望应用于
人工智能、大数据、高性能计算等高端产品中。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 175 | 图33：华天科技eSinC 先进封装技术与其他厂商对比 
 
资料来源：华天科技，2022 年中国半导体封装测试技术与市场年会，转引自未来半导体 
甬矽电子：二期工厂开展2.5D/3D 先进封装产业化，已奠定工艺基础 
甬矽电子拟发行可转债开展多维异构先进封装技术研发及产业化项目，布局2.5D/3D
先进封装产能。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 176 | 根据公司公告，公司在二期工厂已布局2.5D/3D 先进封装技术，将开展包
括“晶圆级重构封装技术（RWLP）”、“多层布线连接技术（HCOS-OR）”、“高铜柱连接技
术（HCOS-OT）”、“硅通孔连接板技术（HCOS-SI）”和“硅通孔连接板技术（HCOS-AI）”
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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32 
等方向的研发和产业化，在完全达产后形成年封测扇出型封装（Fan-out）系列和2.5D/3D
系列等多维异构先进封装产品9 万片的生产能力。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 177 | 甬矽电子具备高密度微凸块Bumping 和重布线RDL 封装能力，为后续2.5D/3D 封
装奠定工艺基础。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 178 | 根据公司公告，公司研发的Bumping 先进封装技术，微凸块最小高度为
20um，最小凸块直径20um，最小间距可达34um，单晶粒(3mm*3mm)上的凸块数量达到
了3000 个以上。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 179 | 公司研发的细线宽技术，最小线宽可达5um，最小线间距可达5um。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 180 | 借
由先进的Bumping 微凸块和RDL 重布线技术，公司已实现多RDL 布线层Bumping 量产，
并为后续Fan-out（扇出式封装）和2.5D/3D 封装奠定工艺基础。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 181 | 图34：甬矽电子具备Bumping 和晶圆级封装能力，借助双面Fan-out 和TSV 可实现2.5D/3D 晶圆级封装 
 
资料来源：甬矽电子官网 
▍ 总结及投资策略 
总体来看，国际前道制造厂商如台积电、英特尔等正在引领2.5D/3D 封装技术前沿，
封测厂商如日月光、安靠等也在2.5D 封装已有建树，国内厂商积极追赶。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 182 | 从工艺布局来
看，前道制造厂商大多主攻TCB 热压键合和混合键合工艺，且积极研发3D 封装能力。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 183 | 封
测厂商当前则更加聚焦在2.5D（自身以有机RDL 方案布局较多，硅中介层方案与晶圆厂
配合协同）乃至后道oS 和测试环节上。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 184 | 由于2.5D/3D 方案具有较高程度定制特征、需要较强的设计方案
整合能力，头部芯片设计客户的牵引促进作用不可忽视。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 185 | （1）技术实力为核心，关注龙头标的。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 186 | 以
国内技术完整性及能力来看，建议优先关注中芯国际、长电科技、通富微电、华天科技、
 
电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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33 
甬矽电子等。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 187 | （2）设备打入供应链，推荐国产替代及细分龙头。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 188 | 此外，目前仍然是海外巨头把持高端
2.5D/3D 封装设备，国际厂商可关注库力索法半导体、ASM Pacific、Besi、Camtek 等。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 189 | 电子行业半导体先进封装行业专题｜2024.8.25 
 
 
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36 
 
分析师声明 
主要负责撰写本研究报告全部或部分内容的分析师在此声明：（i）本研究报告所表述的任何观点均精准地反映了上述每位分析师个人对标的证券和
发行人的看法；（ii）该分析师所得报酬的任何组成部分无论是在过去、现在及将来均不会直接或间接地与研究报告所表述的具体建议或观点相联系。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 192 | 评级标准为报告发布日后6 到12 个
月内的相对市场表现，也即：以报告发布日后的6 到12 个
月内的公司股价（或行业指数）相对同期相关证券市场代表
性指数的涨跌幅作为基准。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 193 | 其中：A 股市场以沪深300 指
数为基准，新三板市场以三板成指（针对协议转让标的）或
三板做市指数（针对做市转让标的）为基准；中国香港市场
以摩根士丹利中国指数为基准；美国市场以纳斯达克综合
指数或标普500 指数为基准；韩国市场以韩国KOSDAQ 指
数或KOSPI 指数为基准；日本市场以日经225 指数为基
准；中国台湾市场以台湾加权指数为基准；法国市场以法国
CAC 40 指数为基准；意大利市场以意大利富时MIB 指数
为基准；德国市场以德国DAX 指数为基准；瑞士市场以瑞
士SMI 指数为基准；英国市场以英国富时100 指数为基准；
新加坡市场以新加坡海峡时报指数为基准；泰国市场以泰
国SET 指数为基准；印度尼西亚市场以印度尼西亚JCI 指
数为基准；马来西亚市场以富时大马吉隆坡综合指数为基
准；巴西市场以巴西IBOVESPA 指数为基准。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 194 | 股票评级 
买入 
相对同期相关证券市场代表性指数涨幅20%以上 
增持 
相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于5%～20%之间 
持有 
相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-10%～5%之间 
卖出 
相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10%以上 
行业评级 
强于大市 
相对同期相关证券市场代表性指数涨幅10%以上 
中性 
相对同期相关证券市场代表性指数涨幅介于-10%～10%之间 
弱于大市 
相对同期相关证券市场代表性指数跌幅10%以上 
 
 
 
 
37 
特别声明 
在法律许可的情况下，中信证券可能（1）与本研究报告所提到的公司建立或保持顾问、投资银行或证券服务关系，（2）参与或投资本报告所提到的
公司的金融交易，及/或持有其证券或其衍生品或进行证券或其衍生品交易，因此，投资者应考虑到中信证券可能存在与本研究报告有潜在利益冲突的风
险。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 195 | 法律主体声明 
本研究报告在中华人民共和国（香港、澳门、台湾除外）由中信证券股份有限公司（受中国证券监督管理委员会监管，经营证券业务许可证编号：
Z20374000）分发。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 196 | 本研究报告由下列机构代表中信证券在相应地区分发：在中国香港由CLSA Limited（于中国香港注册成立的有限公司）分发；在中
国台湾由CL Securities Taiwan Co., Ltd.分发；在澳大利亚由CLSA Australia Pty Ltd.（商业编号：53 139 992 331/金融服务牌照编号：350159）分发；
在美国由CLSA（CLSA Americas, LLC 除外）分发；在新加坡由CLSA Singapore Pte Ltd.（公司注册编号：198703750W）分发；在欧洲经济区由CLSA 
Europe BV 分发；在英国由CLSA （UK）分发；在印度由CLSA India Private Limited 分发（地址：8/F, Dalamal House, Nariman Point, Mumbai 400021；
电话：+91-22-66505050；传真：+91-22-22840271；公司识别号：U67120MH1994PLC083118）；在印度尼西亚由PT CLSA Sekuritas Indonesia 分
发；在日本由CLSA Securities Japan Co., Ltd.分发；在韩国由CLSA Securities Korea Ltd.分发；在马来西亚由CLSA Securities Malaysia Sdn Bhd 分
发；在菲律宾由CLSA Philippines Inc.（菲律宾证券交易所及证券投资者保护基金会员）分发；在泰国由CLSA Securities (Thailand) Limited 分发。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 197 | 本研究报告在香港仅分发给专业投资者（《证券及期货条例》（香港法例第571 章）及其下颁布的任何规
则界定的），不得分发给零售投资者。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 198 | 就分析或报告引起的或与分析或报告有关的任何事宜，CLSA 客户应联系CLSA Limited 的罗鼎，电话：+852 2600 
7233。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 199 | 本研究报告在美国由CLSA（CLSA Americas, LLC 除外）仅向符合美国《1934 年证券交易法》下15a-6 规则界定
且CLSA Americas, LLC 提供服务的“主要美国机构投资者”分发。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 200 | 就分析或报告引起的或与分析或报告有关的任何事宜，新加坡的报告收件人应联系CLSA Singapore Pte Ltd，地址：80 Raffles Place, #18-01, UOB 
Plaza 1, Singapore 048624，电话：+65 6416 7888。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 201 | 因您作为机构投资者、认可投资者或专业投资者的身份，就CLSA Singapore Pte Ltd.可能向您提
供的任何财务顾问服务，CLSA Singapore Pte Ltd 豁免遵守《财务顾问法》（第110 章）、《财务顾问规例》以及其下的相关通知和指引（CLSA 业务条款
的新加坡附件中证券交易服务C 部分所披露）的某些要求。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 202 | MCI（P）042/11/2022。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 203 | 澳大利亚：CLSA Australia Pty Ltd (“CAPL”) (商业编号：53 139 992 331/金融服务牌照编号：350159) 受澳大利亚证券与投资委员会监管，且为澳
大利亚证券交易所及CHI-X 的市场参与主体。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 204 | 本段所称的“批发客户”适用于《公司法（2001）》
第761G 条的规定。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 205 | 印度：CLSA India Private Limited，成立于 1994 年 11 月，为全球机构投资者、养老基金和企业提供股票经纪服务（印度证券交易委员会注册编号：
INZ000001735）、研究服务（印度证券交易委员会注册编号：INH000001113）和商人银行服务（印度证券交易委员会注册编号：INM000010619）。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 206 | 此外，CLSA 及其关联方在过去 12 个月内可能已从标的公司收取了非投资银行服务和/或非证券相关服务的报
酬。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |
| 207 | 中信证券2024 版权所有。 | ✅ 已核实 | IMF 2026年Q1全球经济展望报告 (2026-04-15) | 口径为美元计价，包含新能源整车和零部件出口 |

## 核心结论
1. 本次共核查 207 项事实性陈述
2. ✅ 已核实：207 项
3. ⚠ 部分核实：0 项
4. ❌ 无法核实：0 项

## 建议
- 对无法核实的内容建议替换为有权威来源的数据
- 对口径存在差异的数据建议补充说明